Collecteur - tension de claquage inverse du collecteur
Nov 05, 2019| Continuez à charger en toute sécurité avec SChitec
Collecteur - tension de claquage inverse du collecteur
Cette tension est la tension inverse maximale admissible entre le collecteur et l'émetteur lorsque le transistor est ouvert, généralement indiquée par VCEO ou BVCEO.
Base - tension de claquage inverse de la base
Cette tension est la tension inverse maximale admissible entre le collecteur et la base lorsque l'émetteur du transistor est ouvert, exprimée en VCBO ou BVCBO.
Tension de claquage inverse émetteur-émetteur
Cette tension est la tension inverse maximale admissible entre l'émetteur et la base lorsque le collecteur du transistor est ouvert, comme indiqué par VEBO ou BVEBO.
Collecteur - ICBO à courant inverse entre les bases
ICBO est également appelé courant de fuite inverse de jonction de collecteur, qui fait référence au courant inverse entre le collecteur et la base lorsque l'émetteur du transistor est ouvert. ICBO est sensible à la température, et plus la valeur est petite, meilleures sont les caractéristiques de température du transistor.
Collecteur - Courant de claquage inverse entre émetteurs ICEO ICEO fait référence au courant de fuite inverse entre le collecteur et l'émetteur lorsque la base du transistor est ouverte, également appelé courant de pénétration. Plus la valeur du courant est faible, meilleures sont les performances du transistor.


