Transistor à effet de champ

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Transistor à effet de champ

La signification de « effet de champ » est que le principe de fonctionnement de ce transistor est basé sur l’effet de champ électrique du semi-conducteur.

Transistor à effet de champ Transistor qui fonctionne selon le principe de l'effet de champ. Les transistors à effet de champ contiennent à leur tour deux types principaux : les FET à jonction (JFET) et les FET à semi-conducteur à oxyde métallique (MOS-FET). Contrairement au BJT, les FET ne sont électriquement conducteurs que par un seul type de porteur (porteurs majoritaires) et sont donc également appelés transistors unipolaires. Il appartient à un dispositif semi-conducteur contrôlé en tension et présente les avantages d'une résistance d'entrée élevée, d'un faible bruit, d'une faible consommation d'énergie, d'une large plage dynamique, d'une intégration facile, d'une absence de panne secondaire et d'une large zone de travail sûre.

L'effet de champ consiste à modifier la direction ou l'ampleur du champ électrique appliqué perpendiculairement à la surface du semi-conducteur pour contrôler la densité ou le type de porteurs majoritaires dans la couche conductrice du semi-conducteur (canal). Il s'agit d'un courant modulé en tension dans le canal dont le courant de fonctionnement est transporté par des porteurs majoritaires dans le semi-conducteur. Un tel transistor dans lequel un seul type de porteur polaire participe à la conduction est également appelé transistor unipolaire. Comparés aux transistors bipolaires, les transistors à effet de champ présentent les caractéristiques d'une impédance d'entrée élevée, d'un faible bruit, d'une fréquence limite élevée, d'une faible consommation d'énergie, d'un processus de fabrication simple et de bonnes caractéristiques de température. Ils sont largement utilisés dans divers circuits amplificateurs, circuits numériques et circuits micro-ondes. Attendez. Les transistors à effet de champ à base d'oxyde-semi-conducteur (MOSFET) métalliques à base de silicium et les transistors à effet de champ à barrière Schottky (MESFET) à base d'arséniure de gallium sont les deux transistors à effet de champ les plus importants. Ce sont les dispositifs de base des circuits intégrés ultra-rapides MOS LSI et MES.