Oscillateur à cristal de quartz à transistor à effet de champ
Nov 22, 2019| Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) est une entreprise de haute technologie spécialisée dans la production et la vente d'accessoires téléphoniques. Nos principaux produits comprennent des chargeurs de voyage, des chargeurs de voiture, des câbles USB, des banques d'alimentation et d'autres produits numériques. Tous les produits sont sûrs et fiables, avec des styles uniques. Les produits passent des certificats tels que CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, etc. , Si vous êtes intéressé, vous pouvez contacter directement ceo@schitec.com.
Restez en charge en toute sécurité avec SChitec
Oscillateur à cristal de quartz à transistor à effet de champ
Le schéma de circuit de l'oscillateur à cristal de quartz à transistor à effet de champ est illustré dans la figure
L'oscillateur fonctionne dans un cristal de 51 MHz (17 MHz 3ème harmonique). Selon la structure différente, 0.5-1.8pf peut être sélectionné comme capacité entre le drain et la grille. Les tours L2 représentent environ 20 % de ceux de L1. Les caractéristiques d'oscillation peuvent être modifiées par une résistance source de 470 ohms.
① capacité entre les pôles. Il existe trois capacités interélectrodes dans le FET, à savoir la capacité de source de grille CGS, la capacité de drain de grille CGD et la capacité de drain de source CD. Le CGS et le CGD valent généralement {{0}}pf, et les CD valent environ 0,1-1pf
② IDM de courant de fuite maximum.
Il fait référence au courant maximum autorisé à traverser la source de drain du FET.
③ la puissance de dissipation PD du FET.
Il s'agit de la puissance dissipée lorsque le FET fonctionne.
④ coefficient de bruit basse fréquence NF.
Le bruit du FET est causé par l’irrégularité du mouvement du porteur. Son existence fera un amplificateur même s'il n'y a pas de signal d'entrée, il y aura des changements irréguliers dans la tension ou le courant de sortie. Le coefficient de bruit basse fréquence du FET est inférieur à celui de la triode semi-conductrice.