Paramètres principaux du transistor
Nov 05, 2019| Restez en charge en toute sécurité avec SChitec
Paramètres principaux du transistor
Les principaux paramètres du transistor sont le facteur d'amplification du courant, la puissance dissipée, les caractéristiques de fréquence, le courant maximum du collecteur, la tension inverse maximale, le courant inverse, etc.
facteur d'amplification
Le facteur d'amplification du courant continu, également appelé facteur d'amplification du courant de repos ou facteur d'amplification du courant continu, fait référence au rapport entre le courant du collecteur du transistor IC et le courant de base IB lorsque le signal statique non changeant est entré, et est généralement exprimé par hFE. ou .
Grossissement CA
Le facteur d'amplification AC, c'est-à-dire le facteur d'amplification du courant alternatif et le facteur d'amplification du courant dynamique, est le rapport entre la variation du courant du collecteur du transistor ΔIC et la variation du courant de base ΔIB dans l'état AC, et est généralement exprimé par hfe ou .
hFE ou est à la fois distinct et étroitement lié. Les valeurs des deux paramètres sont plus proches aux basses fréquences et il existe quelques différences aux hautes fréquences.
Puissance dissipée
La puissance dissipée est également appelée puissance dissipée maximale autorisée PCM du collecteur et fait référence à la puissance dissipée maximale du collecteur lorsque les modifications des paramètres du transistor ne dépassent pas la valeur autorisée spécifiée.
La puissance dissipée est étroitement liée à la température de jonction maximale admissible du transistor et au courant maximal du collecteur. Lorsque le transistor est utilisé, sa consommation électrique réelle ne doit pas dépasser la valeur PCM, sinon le transistor sera endommagé en raison d'une surcharge.
Un transistor ayant un PCM de dissipation de puissance inférieur à 1 W est généralement appelé transistor de petite puissance, un transistor ayant un PCM égal ou supérieur à 1 W et inférieur à 5 W est appelé transistor de puissance moyenne, et un Un transistor ayant un PCM égal ou supérieur à 5 W est appelé transistor haute puissance.
Lorsque la fréquence de fonctionnement du transistor à fréquence caractéristique fT dépasse la fréquence de coupure f ou f , la valeur du facteur d'amplification actuel diminuera à mesure que la fréquence augmente. La fréquence caractéristique est la fréquence de fonctionnement du transistor lorsque la valeur de est réduite à 1.
Un transistor dont la fréquence caractéristique fT est inférieure ou égale à 3 MHz est généralement appelé tube basse fréquence, un transistor ayant une fT supérieure ou égale à 30 MHz est appelé tube haute fréquence, et un transistor ayant une fT supérieur à 3 MHz et inférieur à 30 MHz est appelé tube à fréquence intermédiaire.
FM à la fréquence la plus élevée
La fréquence d'oscillation la plus élevée est la fréquence correspondant à la réduction du gain de puissance du transistor à un.
Généralement, la fréquence d'oscillation la plus élevée du transistor haute fréquence est inférieure à la fréquence de coupure de base commune f, et la fréquence caractéristique fT est supérieure à la fréquence de coupure de base commune f et inférieure à la fréquence de coupure de collecteur commun f.
Courant maximal
Le courant maximum du collecteur (ICM) est le courant maximum autorisé par le collecteur du transistor. Lorsque le courant de collecteur IC du transistor dépasse ICM, la valeur du transistor et d'autres paramètres changeront considérablement, affectant son fonctionnement normal et même ses dommages.
Tension inverse maximale
La tension inverse maximale est la tension de fonctionnement maximale autorisée pour le fonctionnement du transistor. Il comprend la tension de claquage inverse collecteur-émetteur, la tension de claquage inverse collecteur-base et la tension de claquage inverse émetteur-base.