Pourquoi le nitrure de gallium est-il meilleur que le silicium ?

Par rapport au silicium, l’avantage du GaN réside dans son efficacité énergétique. Comme l’explique GaN Systems, un fabricant professionnel de nitrure de gallium :

"Tous les matériaux semi-conducteurs ont ce qu'on appelle une bande interdite. Il s'agit de la plage d'énergie dans laquelle aucun électron ne peut exister dans un solide. En bref, la bande interdite est liée à la conductivité électrique du matériau solide. La bande interdite du nitrure de gallium est de 3,4 eV, tandis que celle du silicium est de 1,12 eV. Le nitrure de gallium a une bande interdite plus large, ce qui signifie qu'il peut supporter des tensions et des températures plus élevées que le silicium.

Un autre fabricant de GaN, Efficient Power Conversion Corporation, a déclaré que l'efficacité de guidage des électrons du GaN est 1,000 fois supérieure à celle du silicium et que son coût de fabrication est inférieur.

Une efficacité de bande interdite plus élevée signifie que le courant peut traverser les puces GaN plus rapidement que les puces en silicium, ce qui pourrait conduire à une puissance de traitement plus rapide à l'avenir. En bref, les puces en GaN seront plus rapides, plus petites, plus économes en énergie et (à terme) moins chères que les puces en silicium.

Il est prévisible que vous ne verrez pas facilement de nombreux chargeurs GaN avant que les grands fabricants de matériel (tels qu'Apple et Samsung) ne commencent à les inclure dans les nouveaux ordinateurs et smartphones.